Hoy en día, la fabricación de películas delgadas a base de óxidos semiconductores transparentes termodinámicamente estables y baratos tiene una gran demanda para mejorar las propiedades de los dispositivos optoelectrónicos, sensores y de recolección de energía. Es bien sabido que las películas delgadas de In2O3 dopado con Sn (ITO) son difíciles de depositar por la técnica de pulverización catódica con corriente continua. Sin embargo, en este trabajo se depositan películas de bajo costo de In2O3 dopado con Sn sobre sustratos de vidrio de borosilicato utilizando la técnica de pulverización catódica de corriente continua usando un blanco metálico de In/Sn. El espesor de la película se controló mediante el tiempo de deposición. Se realizó tratamiento térmico posterior a la deposición de las películas en una atmósfera de vacío para controlar las propiedades estructu...