En el presente trabajo se determinó el efecto sobre la densidad y temperatura electrónica del plasma debido a la variación de la potencia de la fuente de corriente continua durante el depósito de las películas delgadas de nitruro de tungsteno crecidas sobre sustratos de silicio.Se utilizó un difractómetro de rayos X, un espectrógrafo y una cámara ICCD. Los espectros fueron utilizados para determinar la densidad y temperatura electrónica del plasma con diferentes valores de potencia. En la medida que incrementa la potencia de la fuente de corriente continua, la temperatura electrónica y la densidad electrónica del plasma varían en forma curvilínea.Palabras claves: Nitruro de tungsteno, densidad electrónica, temperatura electrónica, películas delgadas, potencia.ABSTRACTIn this study we determined the effect on density and plasma electronic temperature due to the va...

En el presente trabajo se determinó el efecto sobre la densidad y temperatura electrónica del plasma debido a la variación de la potencia de la fuente de corriente continua durante el depósito de las películas delgadas de nitruro de tungsteno crecidas sobre sustratos de silicio.Se utilizó un difractómetro de rayos X, un espectrógrafo y una cámara ICCD. Los espectros fueron utilizados para determinar la densidad y temperatura electrónica del plasma con diferentes valores de potencia. En la medida que incrementa la potencia de la fuente de corriente continua, la temperatura electrónica y la densidad electrónica del plasma varían en forma curvilínea.Palabras claves: Nitruro de tungsteno, densidad electrónica, temperatura electrónica, películas delgadas, potencia.ABSTRACTIn this study we determined the effect on density and plasma electronic temperature due to the va...