Este estudio presenta un análisis teórico de una celda solar de banda intermedia con pozo cuántico GaAsP/GaAs que incorpora una única impureza semiconductora, ubicada en el centro del pozo cuántico y en las barreras izquierda y derecha. Se evaluó la influencia de la posición de la impureza sobre la densidad de corriente de cortocircuito y la eficiencia de conversión de energía, bajo diferentes niveles de concentración solar, desde luz solar natural hasta condiciones de luz solar completamente concentrada (FSC). Las mayores eficiencias de conversión se obtuvieron cuando la impureza se ubicó en el centro del pozo cuántico, con valores teóricos de 44.31 % bajo una irradiación de 1 sol (���� = 1), 56.16 % bajo un régimen de alta concentración solar (���� = 1000) y 62.78 % bajo FSC (���� = 46296). En contraste, las configuraciones con la impureza en la...