Películas delgadas de óxidos semiconductores de TiO2, SnO2 y bicapas TiO2 / SnO2 fueron depositadas por la técnica de pulverización catódica DC (Sputtering), en sustratos de vidrio y alúmina. Primeramente, han sido estudiadas las películas delgadas (TiO2, SnO2), variando los parámetros de crecimiento como presión de trabajo y tiempo de crecimiento con el fin de determinar los parámetros adecuados para el crecimiento de las heteroestructuras, y considerando dos tipos de configuraciones como son sustrato/TiO2/SnO2 y sustrato/SnO2/TiO2. Todas las películas fueron tratadas térmicamente a 500 °C en ambiente de aire durante dos horas con el fin de obtener la cristalinidad de las películas. El análisis estructural por difracción de rayos X (DRX) de las películas revela una estructura de fase anatasa tetragonal para TiO2 y un tipo de rutilo tetragonal para SnO2, las cuales fuero...