Elaboración de celdas solares de silicio amorfo hidrogenado, para el aprovechamiento de la Energía Solar

• Autor: Kehuarucho Cardenas, Domingo Walter
• Formato: tesis doctoral
• Fecha de Publicación: 2018
• Institución: Universidad Nacional de San Agustín
• Repositorio: UNSA-Institucional
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:repositorio.unsa.edu.pe:UNSA/8045
• Enlace del recurso: http://repositorio.unsa.edu.pe/handle/UNSA/8045
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Materiales amorfos; Semiconductores amorfos; Pseudo-gap; Celdas solares; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.05.08

En el presente trabajo de investigación teórico experimental, consiste en la fabricación de celdas solares de bajo costo con una eficiencia relativamente baja en base al silicio amorfo hidrogenado, utilizando el equipo de deposición “GLOW-DISHARGE DC. En el capítulo I, se desarrolla la teoría y los fundamentos de la energía solar para el aprovechamiento del potencial energético solar. También se describe la teoría de bandas en sólidos amorfos para interpretar y comprender el efecto de la conversión fotovoltaica en éstos materiales. En el capítulo II, se describe la metodología de la investigación, haciendo referencia el funcionamiento del equipo de Glow Discharge DC.Asi mismo se explica el crecimiento del a-Si:H por el plasma que consiste en una reacción de descarga gaseosa del hidrogeno con las muestras de silicio metalúrgico produciéndose una mixtura de silicio con hidrogeno. En el capítulo III, se ha determinado experimentalmente el espesor de la película delgada, la resistencia eléctrica del semiconductor, resultando en el orden de GΩ y éstos valores sirven para calcular la conductividad eléctrica como función de la temperatura que es característico el comportamiento de los semiconductores en general, es decir cuando disminuye la temperatura aumenta la resistencia eléctrica de la misma, esto se observa en las tablas de medición experimental de la conductividad eléctrica. Una vez, producido la deposición de la muestra (semiconductor), se presentan efectos en la conductividad eléctrica por el calentamiento (oxidación) de la muestra en aire después de la deposición que puede producirse un reordenamiento e incorporación de átomos de oxígeno en la muestra durante el calentamiento. Para cada muestra elaborada se determinó el tipo de semiconductor mediante una respuesta termoeléctrica utilizando un montaje de una Sonda Seebeck, determinando como respuesta si es del tipo “p” o “n”.