Comparison and evaluation of measured and simulated high-frequency capacitance-voltage curves of MOS structures for different interface passivation parameters
Descripción del Articulo
I would like to thank the National Council of Science, Technology and Technological Innovation (Concytec) from Peru for the award of a scholarship which made it possible to do this research work.
| Autor: | |
|---|---|
| Formato: | tesis de maestría |
| Fecha de Publicación: | 2019 |
| Institución: | Consejo Nacional de Ciencia Tecnología e Innovación |
| Repositorio: | CONCYTEC-Institucional |
| Lenguaje: | inglés |
| OAI Identifier: | oai:repositorio.concytec.gob.pe:20.500.12390/1410 |
| Enlace del recurso: | https://hdl.handle.net/20.500.12390/1410 |
| Nivel de acceso: | acceso abierto |
| Materia: | Semiconductores de óxido metálico Semiconductores Circuitos integrados--Pasivación https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.03.00 |
| Sumario: | I would like to thank the National Council of Science, Technology and Technological Innovation (Concytec) from Peru for the award of a scholarship which made it possible to do this research work. |
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Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).
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