Synthesis and characterization of wide bandgap semiconductors doped with terbium for electroluminescent devices

• Autor: Montañez Huamán, Liz Margarita
• Formato: tesis de maestría
• Fecha de Publicación: 2016
• Institución: Consejo Nacional de Ciencia Tecnología e Innovación
• Repositorio: CONCYTEC-Institucional
• Lenguaje: inglés
• OAI Identifier: oai:repositorio.concytec.gob.pe:20.500.12390/233
• Enlace del recurso: https://hdl.handle.net/20.500.12390/233
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Temperatura; Análisis espectroquímico; Luz; https://purl.org/pe-repo/ocde/ford#2.05.01

En el presente trabajo de investigación se ha estudiado propiedades estequiometrias, estructurales y de emisión de luz de semiconductor de amplio ancho de banda dopados con terbio. La difracción de rayos-X en ángulo rasante confirma el estado amorfo de las películas. Los espectros de absorción infrarroja muestran la formación de óxidos en las películas y la espectroscopia de foto-electrones de rayos-X revela la formación de oxinitruro de aluminio y oxicarburo de silicio. Las películas han sido calentadas a temperaturas en el rango de 300 °C a 1000 °C en un horno de rápido procesamiento térmico. De acuerdo con el análisis de las medidas de fotoluminiscencia, la intensidad más alta de emisión de luz del terbio es para películas que tengan concentraciones de terbio mayores al 1at% y a una temperatura de tratamiento térmico de alrededor de 400 °C. Adicionalmente, las películas analizadas han sido usado como capas activas para el diseño de dispositivos electroluminiscentes.