Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)

Descripción del Articulo

En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de...

Descripción completa

Detalles Bibliográficos
Autores: Cabrera, C., Poma, M. H.
Formato: artículo
Fecha de Publicación:2015
Institución:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
Repositorio:Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
Lenguaje:español
OAI Identifier:oai:ojs.csi.unmsm:article/11718
Enlace del recurso:https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718
Nivel de acceso:acceso abierto
Materia:Orbitales LMTO
bandas de energía
densidad de estados
id 1609-7599_d8615dcaafd41f3a5ddd83d96652fcb5
oai_identifier_str oai:ojs.csi.unmsm:article/11718
network_acronym_str 1609-7599
repository_id_str .
network_name_str Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
spelling Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)Cabrera, C.Poma, M. H.Orbitales LMTObandas de energíadensidad de estadosEn este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS).Universidad Nacional Mayor de San Marcos2015-06-15info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionapplication/pdfhttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718Revista Peruana de Química e Ingeniería Química; Vol 18 No 1 (2015); 9-15Revista Peruana de Química e Ingeniería Química; Vol. 18 Núm. 1 (2015); 9-151609-75991726-2208reponame:Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Químicainstname:Universidad Nacional Mayor de San Marcosinstacron:UNMSMspahttps://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718/10509Derechos de autor 2015 C. Cabrera, M. H. Pomahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0info:eu-repo/semantics/openAccess2021-06-01T18:11:15Zmail@mail.com -
dc.title.none.fl_str_mv Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
title Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
spellingShingle Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
Cabrera, C.
Orbitales LMTO
bandas de energía
densidad de estados
title_short Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
title_full Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
title_fullStr Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
title_full_unstemmed Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
title_sort Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
dc.creator.none.fl_str_mv Cabrera, C.
Poma, M. H.
author Cabrera, C.
author_facet Cabrera, C.
Poma, M. H.
author_role author
author2 Poma, M. H.
author2_role author
dc.subject.none.fl_str_mv Orbitales LMTO
bandas de energía
densidad de estados
topic Orbitales LMTO
bandas de energía
densidad de estados
dc.description.none.fl_txt_mv En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS).
description En este trabajo se realiza el cálculo de la estructura electrónica y de la energía total para el estado fundamental del germanio y de los compuestos binarios galio-fosforo y silicio-carbón usando el método LMTO-ASA. Con la teoría del funcional de la densidad (DFT) se calcula un potencial inicial de interacción en la aproximación de la densidad local de spin (LDA) para el término de intercambio y correlación. Con este potencial se resuelve la ecuación de Kohn-Sham para el sistema cristalino y se obtienen las bandas de energía y la densidad de estados (DOS).
publishDate 2015
dc.date.none.fl_str_mv 2015-06-15
dc.type.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.none.fl_str_mv https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718
url https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718
dc.language.none.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/quim/article/view/11718/10509
dc.rights.none.fl_str_mv Derechos de autor 2015 C. Cabrera, M. H. Poma
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Derechos de autor 2015 C. Cabrera, M. H. Poma
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidad Nacional Mayor de San Marcos
publisher.none.fl_str_mv Universidad Nacional Mayor de San Marcos
dc.source.none.fl_str_mv Revista Peruana de Química e Ingeniería Química; Vol 18 No 1 (2015); 9-15
Revista Peruana de Química e Ingeniería Química; Vol. 18 Núm. 1 (2015); 9-15
1609-7599
1726-2208
reponame:Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
instname:Universidad Nacional Mayor de San Marcos
instacron:UNMSM
reponame_str Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
collection Revista UNMSM - Revista Peruana de Química e Ingeniería Química
instname_str Universidad Nacional Mayor de San Marcos
instacron_str UNMSM
institution UNMSM
repository.name.fl_str_mv -
repository.mail.fl_str_mv mail@mail.com
_version_ 1701389116931833856
score 13.947759
Propiedades electrónicas del germanio (Ge) y de los compuestos binarios de galio-fosforo (GaP) y de silicio-carbon (SiC)
Nota importante:
La información contenida en este registro es de entera responsabilidad de la institución que gestiona el repositorio institucional donde esta contenido este documento o set de datos. El CONCYTEC no se hace responsable por los contenidos (publicaciones y/o datos) accesibles a través del Repositorio Nacional Digital de Ciencia, Tecnología e Innovación de Acceso Abierto (ALICIA).

Ejemplares Similares