Spintronics, spin electronics

• Autores: Monteblanco, Elmer, Ortiz Pauyac, Christian, Savero, Williams, Rojas Sanchez, J. Carlos, Schuhl, A.
• Formato: artículo
• Fecha de Publicación: 2013
• Institución: Universidad Nacional de Ingeniería
• Repositorio: Revista UNI - Tecnia
• Lenguaje: español
• OAI Identifier: oai:oai:revistas.uni.edu.pe:article/62
• Enlace del recurso: http://www.revistas.uni.edu.pe/index.php/tecnia/article/view/62
• Nivel de acceso: acceso abierto
• Materia: Espintrónica, Magnetorresistencia, GMR, TMR, MRAM, Nano-osciladores, dinámica de magnetización, Efecto Hall de spin, Transferencia de torque de spin.

Current technology seeks to develop nanoscale devices capable of storing and processing information. These devices would be difficult to make in the area of electronics, which is based on the manipulation of electric charge. However, thanks to advances in experimental and theoretical physics in the field of condensed matter, these devices are already a reality, belonging to the field of what we now call spintronics, which bases its functionality on the control of the electron’s spin, a property that can only be conceived at the quantum level. In this article we review this new perspective, describing giant- and tunneling- magnetoresistance, the spin transfer torque, and their applications such as MRAM memories, nano-oscillators and lateral spin valves. 
En la actualidad el desarrollo de la tecnología nos ha conducido a elaborar dispositivos nanométricos capaces de almacenar y procesar información. Estos dispositivos serían difíciles de imaginar en la electrónica, la cual se basa en la manipulación de la carga eléctrica del electrón. Sin embargo, gracias a los avances en la física teórica y experimental en el campo de la materia condensada, estos dispositivos ya son una realidad, perteneciendo a lo que actualmente se denomina la electrónica del espín o espintrónica, la cual basa su funcionalidad en el control del espín del electrón, una propiedad que sólo puede ser concebida a nivel cuántico. En el presente artículo revisaremos esta nueva perspectiva, describiendo la Magnetorresistencia Gigante y de Efecto Túnel, la transferencia de momento de espín y sus respectivas aplicaciones como son las memorias MRAM, nano-osciladores y válvulas laterales de espín.